作者：朱鹏,幸研,易红,汤文成 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2008年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2008010350 DOC编号：DOCBDTX2008010359 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程，确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicinal surface)在掩模下的腐蚀模拟对提出的方法进行了校验分析，解释了蒙特卡罗法处理复杂晶面的原理和过程.模拟测试中，仿真程序能正确地再现不同晶向腐蚀速率特性以及凸角腐蚀的结构形态，经过与目前报道的元胞自动机以及其他种类蒙特卡罗法比较分析，模型具有较高的仿真效率和结果精度.最后，该系统模拟一个实际的微加速度传感器设计中的凸角补偿问题，在震动岛块的掩模补偿设计中验证了模型的正确性。

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