作者：李昕欣,杨恒,鲍敏杭,沈绍群 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1998年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ803.0010 DOC编号：DOCBDTJ803.0019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。

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