作者：黄奕钒,徐启峰,陈昊,许志坤 单位：国网电力科学研究院 出版：《电力系统自动化》2018年第21期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDLXT2018210230 DOC编号：DOCDLXT2018210239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 现有的光学电压传感器多基于光功率检测模式，其测量范围与测量灵敏度受到电光晶体半波电压的限制。纵向调制的多片晶体叠层结构可以解决半波电压限制的问题，但仅适用于1 000kV电压等级。此外，仿真结果表明这一结构中晶体内的电场分布极不均匀，受震动与热胀冷缩等因素的影响，光路或晶体的相互位置易产生偏移而引入积分电压误差。文中以110kV电压等级为例，对多片晶体叠层结构进行了改进，简化了传感系统的结构，并将MgTiO3陶瓷按照一定的要求安装在锗酸铋(BGO)晶体的外部以改善晶体的内电场分布，可以把积分电压误差从0.275%降低至0.01%以下。改进后的结构可用于各种电压等级。最后，通过实验验证了新方法的有效性。

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