作者：黄奕钒,徐启峰,陈霖扬,谭巧,谢楠 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2017年第07期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2017070220 DOC编号：DOCHWYJ2017070229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于Pockels效应的光学电压传感器(Optical Voltage Transducer，OVT)，运行中不可避免地存在震动、元器件连接的老化与热胀冷缩等问题，导致光学器件的相互位置产生偏移，进而影响电光晶体的内电场分布。文中以基于会聚偏光干涉原理的110 k V纵向调制的OVT为例，进行了仿真分析与实验研究，发现当入射光发生&#177；0.5&#176；的偏移或电光晶体发生&#177；1&#176；的偏移时，分别引入约0.107%和0.124%的电场积分误差。由于OVT必须满足0.2%的准确度要求，上述影响不容忽视。为此提出了介质包裹法，将Al2O3陶瓷包裹在电光晶体外部，使电场积分误差分别降低至0.001%和0.003%。实验与应用的情况表明，介质包裹法简单、实用、有效。

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