作者:林聚承,袁祥辉,吕果林,黄友恕 单位:中国科学院光电技术研究所;中国光学学会 出版:《光电工程》2007年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGDGC2007050150 DOC编号:DOCGDGC2007050159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于压缩传感的CMOS图像传感器电路研究》PDF+DOC2016年第02期 骆丽,李瑞菁 《CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展》PDF+DOC2017年第01期 王祖军,刘静,薛院院,何宝平,姚志斌,盛江坤 《抗辐射低噪声CMOS图像传感器设计技术研究》PDF+DOC2020年第02期 郭仲杰,吴龙胜 《高光谱成像用高速CMOS图像传感器设计》PDF+DOC2020年第04期 冯国旭,刘昌举,刘戈扬,李明,徐江涛 《一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件》PDF+DOC2007年第04期 李晓磊,曾云,张燕,王太宏 《CMOS图像传感器可处理高难度任务》PDF+DOC2005年第07期 Jan Bogaerts 《基于积分时间和增益可调的CMOS驱动设计》PDF+DOC2010年第14期 胡晓东,杨东来,肖茂森,张晓东 《红外探测数据读出技术研究》PDF+DOC2009年第07期 安永泉,禹健 《CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计》PDF+DOC2006年第03期 林晓志,张生才,姚素英,徐江涛 《一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器》PDF+DOC2014年第05期 吴治军,李毅强,阳怡伟
  • 设计了一种采用新型读出电路的CMOS图像传感器,该器件电路结构简单,由四个MOS管,一个电容构成;驱动信号源少,只需两个相配合的脉冲;功耗小于0.7mW;单端输出方便模数转换的视频信号;可以实现片内差分。给出了理论分析和电路模拟仿真的结果数据及波形。采用标准1.2μmN阱DPDMCMOS工艺设计了一个256元的实验器件,像元中心距为25μm,器件尺寸大小为1mm×11mm,并对器件进行了主要参数的测试和数据分析,验证了该器件的功能。

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