作者：魏天杰,张斌珍,薛晨阳,张文栋 单位：华中科技大学 出版：《华中科技大学学报(自然科学版)》2007年第S1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHZLG2007S10210 DOC编号：DOCHZLG2007S10219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《介观压阻效应及器件》PDF+DOC2008年第11期 张文栋,熊继军,薛晨阳,张斌珍,仝召民 《容性负载对压力传感器稳定性及测量误差的影响分析》PDF+DOC2018年第03期 张雷,赵昆,孙科 《影响扩散硅压力传感器稳定性的因素及解决方法》PDF+DOC2000年第08期 唐慧,季安,章学群,孙艳宾 《低温测量中压力传感器的改进与标定》PDF+DOC1999年第05期 孙淑凤,陈流芳,张声良,吴裕远,王宜义 《具有高稳定性能的GY型扬压力传感器》PDF+DOC1991年第04期 李载达 《硅压阻式力敏器件及传感器的稳定性》PDF+DOC1987年第Z1期 王冬梅 《压力扫描阀系统的扫描速度特性研究》PDF+DOC1987年第03期 邓学蓥,潘晓丽,缪清 《膜片有效面积测定装置》PDF+DOC1980年第03期 郭万泉,郑雪山 《光子晶体光纤压力传感器稳定性研究》PDF+DOC2011年第04期 余先伦,陈猛,郑旭武 《电阻应变式传感器的稳定性》PDF+DOC2009年第05期 张琦,李新娥,祖静

    • 基于共振隧穿结构的压力传感器的优点是灵敏度高且可调，但是稳定性不好，分析了影响振荡稳定性的原因，提出调整I-V特性曲线负阻区宽度及斜率的方法以提高器件的稳定性.利用共振隧穿结构在负阻区域的滞后(Hysteresis)和平台效应(Plateau-like)，通过改变结构参数，如量子阱宽度、掺杂浓度等，加宽负阻区域，减小斜率，达到提高器件稳定性的目的。

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