作者：唐慧,季安,章学群,孙艳宾 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2000年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2000080030 DOC编号：DOCCGSJ2000080039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文分析了影响扩散硅压力传感器稳定性产生的原理，并依据半导体理论，在工艺上采取了相应的措施。大大改善的传感器的稳定性，使我们生产的传感器稳定性达到国外同类产品的先进水平。

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