作者:汪祖民,任振兴,韩泾鸿,边超,杨海钢,夏善红 单位:中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版:《电子与信息学报》2007年第10期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZYX2007100570 DOC编号:DOCDZYX2007100579 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统。采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H~+敏感PPy膜;与采用低温Ta_2O_5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较。集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1~12范围内线性相关系数99.99%的优良性能。

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