作者:汪祖民,韩泾鸿,任振兴,杨海钢,夏善红 单位:东南大学 出版:《电子器件》2007年第03期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2007030020 DOC编号:DOCDZQJ2007030029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果:在pH1~12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H+的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H+的响应仅为0.13mV/pH;结论:采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工。

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