《双槽电化学腐蚀法制备介孔硅的热导率》PDF+DOC
作者：房振乾,胡明,张伟,张旭瑞,杨海波
单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会
出版：《Journal of Semiconductors》2007年第03期
页数：5页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFBDTX2007030190
DOC编号：DOCBDTX2007030199
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提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型，对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析，得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备孔隙率分别为62%和79%的介孔硅，微喇曼光谱技术测量所制备的介孔硅的热导率为8.315和0.949W/(m·；K).SEM分析表明，孔隙率为62%和79%的介孔硅的平均特征尺寸分别为10nm和5nm.应用计算介孔硅有效热导率的公式，得到孔隙率为62%，平均特征尺寸为10nm和孔隙率为79%，平均特征尺寸为5nm的介孔硅层的有效热导率理论值为10.753和1.035W/(m·；K).研究分析表明，理论计算与所获得的实验数据一致.介孔硅极低的热导率使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于微传感器和微电子机械系统中。
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