作者：赖莉萍,罗福,张蓉竹 单位：中国工程物理研究院;中国核学会;四川省核学会 出版：《强激光与粒子束》2015年第06期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFQJGY2015060200 DOC编号：DOCQJGY2015060209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在利用CMOS阵列探测器成像时，探测阵列单元间的串扰将直接影响器件成像质量。为了更好地了解串扰对器件响应过程的影响，针对CMOS图像传感器的电串扰特性进行了分析，建立了电串扰数学分析模型，对电串扰的大小进行了定量计算。具体分析了不同扩散长度、感光面积、耗尽层宽度、像素尺寸和温度对电串扰的影响。分析结果表明，感光面积、耗尽层宽度与像素尺寸对电串扰的影响最大，扩散长度和温度对电串扰的影响相对较小。感光面积由3.8μm2增加到12.8μm2后，归一化的电串扰减小了约13%；像素尺寸由7μm&#215；7μm增加为15μm&#215；15μm时，电串扰增加了约95.4%；温度由100K增加到180K后，电串扰下降了约0.6%。

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