作者：赖莉萍,付博,张蓉竹 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2017年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2017010340 DOC编号：DOCHWYJ2017010349 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • CMOS阵列探测器中，像素单元间的串扰会影响其成像质量。为了解不同光源对CMOS电串扰的影响，针对CMOS图像传感器的电串扰特性建立了一个分析模型，结合CMOS图像传感器的工作原理定量计算了单色光、宽谱光源入射条件下的电串扰特性。分析结果表明CMOS图像传感器的电串扰随单色光波长、宽谱光源谱宽和中心波长的增大而增大，但中心波长与单色光波长相同的宽谱光源，其对电串扰的影响大于单色光。辐照功率为600μW，单色光波长为1 064 nm，电串扰大小约为50.611 m V；宽谱光源中心波长为1 064 nm，谱宽为400 nm时，电串扰的大小约为50.914 m V，相比于单色光电串扰增加了约0.303 m V。

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