作者:王健,江健,穆罕默德 单位:中国电子学会 出版:《》 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFELEW2017030420 DOC编号:DOCELEW2017030429 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《单面多层结构硅微压传感器的研制》PDF+DOC1997年第04期 任建军,杨恒,李昕欣,沈绍群,鲍敏杭 《利用硅横向压阻效应的压力敏感器件》PDF+DOC1985年第03期 鲍敏杭 ,王言 《可对多目标测量的硅传感器系统》PDF+DOC1998年第04期 屈哓声,张声良,吴洪才 《微机械力敏传感器及其发展动向》PDF+DOC1996年第10期 鲍敏杭,沈绍群 《压阻式压力传感器灵敏度特性分析》PDF+DOC1996年第04期 沈桂芬,王正荣 《微机械梁-膜结构的压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 鲍敏杭,王言,于连忠 《硅压力传感器的非线性分析及优化设计》PDF+DOC2003年第01期 沈桂芬,付世,丁德宏,姚朋军,张宏庆,范军,吕品 《单片机在微差压传感器温度补偿中的应用》PDF+DOC2001年第12期 王晔,卢致续,董玉荣 《压阻式金刚石微压力传感器》PDF+DOC2001年第01期 莘海维,张志明,沈荷生,戴永兵,万永中 《一种MEMS压力传感器的标定和温度补偿方法》PDF+DOC 沈晓春,刘利,周飞
  • 伴随多晶硅力敏电阻在高温压力传感器和微机械传感器上的应用,学者对其压阻效应原理进行深入研究。本文论述了P型多晶硅隧道压阻模型和应变因子理论计算存在问题,提出了一种应变因子改进算法,与实验结果比较表明该算法的科学性,为多晶硅广泛应用打下一定的理论基础。

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