作者：蒋程捷,豆传国,杨恒,肖斐 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2013年第07期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2013070160 DOC编号：DOCBDTJ2013070169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 电子封装是集成电路产品制造过程中的重要环节，而电子封装所产生的应力则可能会对芯片的性能及可靠性产生影响，因而受到业界的广泛关注。利用半导体压阻效应制造硅压阻应力传感器阵列芯片，将其倒装键合至印刷电路板，填充不同类型的下填料进行固化。通过测量应力传感器芯片上的力敏电阻变化，计算倒装键合和下填料固化等封装工艺引入的应力，并讨论了下填料的性能参数对芯片应力大小的影响。此外，在标定力敏电阻及压阻系数温度效应的基础上，对下填料固化过程的应力变化进行了实时监测，分析了下填料固化工艺引起的应力。

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