作者:于连忠,鲍敏杭 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》1990年第04期 页数:9页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS1990040000 DOC编号:DOCCGJS1990040009 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《多晶硅应变因子计算研究》PDF+DOC 王健,江健,穆罕默德 《压阻式压力传感器灵敏度特性分析》PDF+DOC1996年第04期 沈桂芬,王正荣 《横向压阻型压力传感器及其临床应用》PDF+DOC1986年第04期 鲍敏杭,王言,晋琦,吴宪平,顾菊康 《利用硅横向压阻效应的压力敏感器件》PDF+DOC1985年第03期 鲍敏杭 ,王言 《多晶硅横向压阻灵敏度的统计分析》PDF+DOC1989年第02期 赵甘鸣,鲍敏杭 《一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计》PDF+DOC2011年第01期 王大军,李淮江 《基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计》PDF+DOC2008年第01期 王云彩,孙以材,陈杰,耿青涛 《压阻式传感器灵敏度特性分析》PDF+DOC1999年第04期 沈桂芬 《高温压力传感器的力敏电阻条的制备》PDF+DOC2009年第04期 何建建,孙以材,潘国峰 《硅微机械谐振压力传感器技术发展》PDF+DOC2013年第20期 苑伟政,任森,邓进军,乔大勇
  • 本文对方膜的硅压力传感器结构进行了应力非线性的计算分析,得出了应力-压力关系非线性与压力量程、膜的几何参数以及器件位置的关系,并给出了实现线性最佳化设计的结果.实验与理论结果的比较表明:(1)压阻效应非线性很小,压力传感器的非线性主要决定于应力非线性;(2)方膜边缘的四端力敏电阻设计不仅灵敏度高,而且有较好的线性;(3)进一步改进压力传感器精度的方法是选用应力线性优良的结构。

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