作者：孙莹,王风,张珅毅,荆涛,杨垂柏,沈国红,张焕新,闫雪梅 单位：中国科学院国家空间科学中心;中国空间科学学会 出版：《空间科学学报》2016年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFKJKB2016060150 DOC编号：DOCKJKB2016060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 长期的高能电子辐照会对Si-PIN传感器探测性能造成影响，为了考核应用器件耐电子辐照能力，采用电子辐照源模拟空间电子环境对半导体传感器进行辐照试验.试验结果表明：传感器在接收7.64&#215；10M辐照剂量情况下，传感器能量响应能力未发生改变，计数效率稍有下降；随着辐照剂量的增大，虽然传感器漏电流不断增大，但是噪声水平较平稳，传感器的性能不影响载荷工作指标。

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