作者：蔡毓龙,李豫东,文林,冯婕,郭旗 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2020年第07期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2020070230 DOC编号：DOCHWYJ2020070239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器应用于空间时容易受到空间质子辐照影响。在地面对某国产商用CMOS图像传感器开展质子辐照试验，试验中通过离线和在线采集图像两种方法研究其累积辐射效应和单粒子效应。通过分析辐照后暗信号变化研究质子诱导累积辐射效应，并从总剂量和位移损伤两方面分析了暗信号分布规律和产生机理。在线采集图像表明：质子诱导CMOS图像传感器像素单元单粒子现象包括瞬态亮点、瞬态亮斑和瞬态亮线。结合质子和CMOS图像传感器相互作用物理过程解释上述不同形状单粒子瞬态现象产生机理。试验中没有观察到CMOS图像传感器外围电路出现质子诱导的单粒子闩锁和单粒子功能中断现象。

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