作者:李豫东,文林,郭旗,何承发,周东,冯婕,张兴尧,于新 单位:西北核技术研究所;国防工业出版社 出版:《现代应用物理》2017年第04期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYYWL2017040040 DOC编号:DOCYYWL2017040049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应》PDF+DOC2015年第09期 汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 《3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为》PDF+DOC2019年第01期 张翔,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕,马林东,蔡毓龙,王志铭 《基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究》PDF+DOC 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发 《像增强型图像传感器在总剂量辐照下的光响应度》PDF+DOC2014年第12期 闫劲云,江洁,张广军 《0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应》PDF+DOC2015年第02期 汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,孙静,玛丽娅 《电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真》PDF+DOC2020年第02期 魏莹,文林,李豫东,郭旗 《一种低功率易校准的温度传感器》PDF+DOC1983年第06期 CERARD C.M.MEIJER,周铸乾 《CMOS图像传感器及其研究》PDF+DOC2004年第08期 尚玉全,曾云,滕涛,高云 《CMOS图像传感器成像系统》PDF+DOC2003年第04期 连华,林斌,陈伟 《使用GAL器件设计CIS图像传感器驱动电路》PDF+DOC2007年第04期 陈良才,马丹,茹更生
  • 对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致。辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷。

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