作者：李玉玲,王明伟,张林超,吴佐飞 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2018年第11期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2018110050 DOC编号：DOCCGQJ2018110059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》PDF+DOC2019年第02期 齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷,吴佐飞 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC2020年第02期 王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 《基于SOI岛膜结构的高温压力传感器》PDF+DOC2018年第09期 杨娇燕,梁庭,李鑫,李旺旺,林立娜,李奇思,赵丹,雷程,熊继军 《SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备》PDF+DOC2018年第06期 李鑫,梁庭,赵丹,雷程,杨娇燕,李志强,王文涛,熊继军 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力》PDF+DOC2008年第02期 许东华,张兆华,林惠旺,刘理天,任天令 《基于SOI薄膜的硅压敏电阻变化率计算方法》PDF+DOC2015年第06期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,洪应平,齐蕾,杨帆,熊继军 《谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装》PDF+DOC2014年第05期 陈德勇,曹明威,王军波,焦海龙,张健 《碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试》PDF+DOC2005年第02期 钱开友,王芸,叶枝灿,颜丙勇,徐东,蔡炳初

    • 绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装，硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配，降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性。建立了残余应力计算模型，分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系；完成了键合试验，通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值，验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法。样品测试结果表明：通过应力匹配减小了工艺残余应力，有效提高了压力传感器的长期稳定性。

    📙 相关资料

    1. 《圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》PDF+DOC 针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点，提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法，实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明：SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷，漏率低于5&#215；1......
    2. 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC 利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散，刻蚀，氧化，金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片，并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔，最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试，高温压力测试结果表明，在21℃(常温)至300℃的温度......
    3. 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC 本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的硅压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。从可动膜片结构设计、关键尺寸计算以及有限元分析等方面考虑，对压力芯片可动膜片进行了结构优化；从压敏电阻条的注入位置、几何形状、器件噪声分析和计算等方面设计，最终确定可动膜片的边长为1000μm，膜厚为40μ......
    4. 《基于SOI岛膜结构的高温压力传感器》PDF+DOC 针对绝缘体上硅(SOI)压力传感器平模结构下压敏电阻所在区域应力跨度过大而导致的线性度降低问题，采用了岛膜结构改善敏感膜片表面的应力分布，使压敏电阻能够完全布置在应力集中区，从而提高传感器的灵敏度和线性度。使用有限元分析软件对岛膜结构进行力学性能分析，根据敏感膜片表面应力分布情况确定压敏电阻最优的位......
    5. 《SOI高温压阻式压力传感器的设计与制备》PDF+DOC 设计并制备了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料、量程为5 Pa~1.8 MPa的压阻式压力传感器。在设计方面，通过有限元分析软件和经典理论相结合分析敏感膜片的力学性能和电学性能，得到敏感膜片的尺寸和表面电势的分布；在工艺方面，设计了基于标准微电子机械系统(MEMS)工艺的制作流程；在芯片的封装方面，为......
    6. 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC 从传感器的受力结构、能量转化结构和金属引线三个方面对SOI压阻式压力传感器芯片进行高温设计，计算出每个因素所造成的影响并与外部气压对传感器造成的影响进行对比，并给出了压阻的工艺尺寸和掺杂浓度。通过工艺制备和封装，研制出耐高温压力传感器芯片，常温压力测试结果表明传感器敏感芯片在常温下灵敏度较高，非线性......
    7. 《硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力》PDF+DOC 硅玻璃阳极键合技术因键合强度高，工艺简单而成为低成本绝压压力传感器的主要封装技术。但由于常规的硅玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行且材料之间不可避免的热膨胀系数失配将产生较大的残余应力。实验采用有限元方法对硅玻璃阳极键合进行了系统的力学分析以减小残余应力对器件性能的影响。实验中采用硅玻璃阳极键合......
    8. 《基于SOI薄膜的硅压敏电阻变化率计算方法》PDF+DOC 用小挠度方形膜作为理论模型，提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)敏感薄膜的硅压敏电阻变化率新型积分计算方法。针对传统中心点计算方法的不足，通过整个平面积分的方法计算电阻变化率，并计算出输出电压和外部气压的关系表达式，与传统中心点计算方法进行比较；同时，利用仿真的方法算出灵敏度，并将计算的理论值与实验值......
    9. 《谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装》PDF+DOC 为了提高传感器的品质因数，有效保护谐振器，提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE)，分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜；然后，通过氢氟酸缓冲液腐蚀S......
    10. 《碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试》PDF+DOC 研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构，计算机模拟证明，这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试，为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试，表明传感器的灵敏度为0.22μA/kPa......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。