作者:张猛蛟,蔡毅,江峰,钟海政,王岭雪 单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版:《中国光学》2019年第01期 页数:19页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZGGA2019010020 DOC编号:DOCZGGA2019010029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 硅基紫外成像探测技术具有可靠性好、集成度高、容易大面阵化、成本低等优势,成为探测领域的重要研究方向。随着硅半导体工艺的持续进步以及纳米科学的发展,利用半导体技术、荧光转换材料或者低维纳米结构来增强硅基探测器的紫外响应取得了长足的进步。本文综述了国内外硅基紫外增强成像探测器件、系统应用的进展,通过回顾器件发展的历史和对研究现状的分析,并结合紫外探测技术在天文物理、生化分析、电晕检测等领域的应用进展,探讨了硅基紫外成像探测技术发展的趋势和挑战。

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