作者：周彦平,谢小龙,刘洋,靳浩,于思源 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2016年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2016050180 DOC编号：DOCHWYJ2016050189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了电子辐射剂量对CMOS图像传感器性能的影响，性能参数为平均暗电流输出和光强响应度。搭建了电子辐射场和光强响应度的测量系统，在器件处于工作状态和非工作状态下分别对其辐射，辐射剂量为：5&#215；103 rad、1&#215；104 rad、7&#215；104 rad、1&#215；105 rad、5&#215；105 rad。对于暗电流，当辐射总剂量超过7&#215；104rad~1&#215；105rad之间的某一个阈值时，暗电流随着辐射剂量的增长基本呈线性增加；光强响应方面，当器件处于非工作状态接受辐射时，辐射剂量对光强响应影响不大；当器件处于工作状态接受辐射时，辐射剂量超过7&#215；104 rad，光强响应曲线会下移，斜率减小，灵敏度降低。理论分析后，得到了暗电流随电子辐射剂量的变化模型。研究表明：长期工作于空间环境下的CMOS图像传感器，容易受到辐射总剂量效应的影响，需采取一定的防辐射措施。

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