《CMOS图像传感器的辐射实验》PDF+DOC
作者:周彦平,王晓明,常国龙,汪黎黎
单位:中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所
出版:《红外与激光工程》2011年第07期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHWYJ2011070170
DOC编号:DOCHWYJ2011070179
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为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性,对进行了空间辐射环境模拟实验研究。实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境,辐射最大剂量为5×;104rad(Si),辐射速率为1 Gy/s。在辐照时,根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏置电压,并采用在线和离线测量相结合的方法。实验结果表明:辐射初期各项性能指标变化不大,均匀度不变,暗电流略有增加,辐射停止一段时间后,性能下降较为明显,但经过较长时间退火后,性能渐趋稳定,且有一定恢复。研究表明:在采取一定防护措施后,商用CMOS像传感器可以应用在空间辐射环境中。
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