作者：周彦平,王晓明,常国龙,汪黎黎 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》2011年第07期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ2011070170 DOC编号：DOCHWYJ2011070179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS图像传感器电子辐照实验的研究》PDF+DOC2016年第05期 周彦平,谢小龙,刘洋,靳浩,于思源 《温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响》PDF+DOC2016年第03期 王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧 《包含交流耦合CTIA与数字CDS的CMOS图像传感器设计》PDF+DOC2017年第01期 邹梅,陈楠,姚立斌 《CMOS图像传感器辐射损伤研究》PDF+DOC2017年第03期 邹旸,黄景昊 《CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理》PDF+DOC2017年第10期 冯婕,李豫东,文林,周东,马林东 《低剂量γ辐射对视频品质的影响及其改善方法》PDF+DOC2016年第04期 黄景昊,邹旸,邹树梁,徐守龙 《CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理》PDF+DOC2020年第05期 冯婕,李豫东,文林,郭旗 《电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真》PDF+DOC2020年第02期 魏莹,文林,李豫东,郭旗 《无光照条件下CMOS图像传感器噪声分析》PDF+DOC2011年第04期 原玉磊,邹亮,艾金鹏 《低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现》PDF+DOC2009年第02期 徐江涛,李斌桥,姚素英,任张强

    • 为了考察商用CMOS图像传感器应用于空间的可行性，对进行了空间辐射环境模拟实验研究。实验采用60Co-γ辐射源模拟空间辐射环境，辐射最大剂量为5&#215；104rad(Si)，辐射速率为1 Gy/s。在辐照时，根据实验需要在CMOS两端加偏置电压或不加偏置电压，并采用在线和离线测量相结合的方法。实验结果表明：辐射初期各项性能指标变化不大，均匀度不变，暗电流略有增加，辐射停止一段时间后，性能下降较为明显，但经过较长时间退火后，性能渐趋稳定，且有一定恢复。研究表明：在采取一定防护措施后，商用CMOS像传感器可以应用在空间辐射环境中。

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