作者：雷程,毛海央,欧文,薛晨阳,唐力程,杨涛,陈大鹏,熊继军 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第12期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015120040 DOC编号：DOCBDTQ2015120049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器。该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸，同时采用XeF_2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构，该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷。在器件制备的基础上，对该器件在不同真空度条件下的响应特性进行了测试，测试结果表明该器件在常温下的真空响应上限达10~5 Pa。而不同加热功率条件下，该器件的响应灵敏度随着加热功率的增大呈增大趋势。

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