作者:孙以材,沈今楷,姬荣琴,常志红 单位:东南大学 出版:《电子器件》2000年第01期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ2000010060 DOC编号:DOCDZQJ2000010069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《压力传感器芯片的低温玻璃封接技术》PDF+DOC1999年第01期 沈今楷,孙以材,常志宏,贾德贵,孟庆浩,高振斌,杨瑞霞 《压力传感器的硅玻静电键合》PDF+DOC 张子鹤,刘振华,陈勇,卢云 《压力传感器的芯片封装技术》PDF+DOC1998年第02期 孙以材,范兆书,常志宏,沈今楷,高振斌,杨瑞霞 《静电封接在压力传感器生产中的应用》PDF+DOC1992年第12期 斌实 《硅压力传感器的应力隔离封装》PDF+DOC1987年第Z1期 李东研,Per.A.Ohlckers,C.D.Fung,W.H.Ko 《压力传感器的封接原理和工艺》PDF+DOC1988年第04期 庞世信,周成立 《半导体高温压力传感器的静电键合技术》PDF+DOC2002年第02期 张生才,赵毅强,刘艳艳,姚素英,张为,曲宏伟 《高温压力传感器现状与展望》PDF+DOC2002年第04期 张为,姚素英,张生才,刘艳艳,曲宏伟 《半导体压力传感器的最新动向》PDF+DOC1992年第03期 樱井止水城,吴风 《低温下压阻式压力传感器性能的实验研究》PDF+DOC2001年第03期 孙淑凤,吴裕远,赵荣义
  • 研制开发了一种用于压力传感器芯片与 1 0 1玻璃基座相封接的三元系结晶性低温玻璃焊料 ,其基本成份为 Pb O:Zn O:B2 O3 =58:1 8:2 4 (% wt)。已用 DSC分析该玻璃焊料 ,显示在 51 0℃出现主晶相的熔化吸热峰 ,其开始熔化温度为 445℃。在硅芯片背面制备一过渡层 ,然后用此低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起。封接温度为 530℃ ,低于铝硅合金相的低共熔温度 577℃。用这一封接技术制备的压力传感器有良好的技术性能 ,热漂移小且能耐沸水、耐油 ,耐 1 50℃热冲击。封接强度达 7MPa。

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