作者：于映,陈跃 单位：中国电子科技集团公司第二研究所 出版：《电子工艺技术》2000年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZGY2000050110 DOC编号：DOCDZGY2000050119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 阐述了采用直接沉积法制作MIM结构薄膜应变栅的工艺方法 ，对制备过程中所遇到的难点进行了分析并提出相应的解决方法 ，对所制作的薄膜应变栅式称重传感器进行了性能测试。

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