作者：刘宝城 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1988年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1988030070 DOC编号：DOCCGQJ1988030079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文根据对铜膜温度传感器的研制，阐述了基片(微晶玻璃基片、硅玻璃基片、陶瓷基片)；真空蒸发工艺条件(烘烤电流及其温度、真空度，蒸发电流及其时间)；热处理条件(温度、时间)等对铜膜电性能的影响，介绍了高精度铜膜温度传感器的最佳工艺条件。

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