作者： 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》1996年第12期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ1996120030 DOC编号：DOCCGSJ1996120039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 1996年10月22日，EG＆G ICSensors在美国宾夕法尼亚的费城举办的“96’传感器国际展览会”(Sensor Expro’96)(注：有关该展览会的情况，我刊曾在96年第8期上有所介绍)上推出了其最新产品—陶瓷基底硅压阻压力传感器，该产品价格较低，广泛应用于一次性有创式的血压测量。

    📙 相关资料

    1. 《CY—7A型生理血压传感器》PDF+DOC 一、概述 众所周知，就生理血压传感器而言，目前应变片式、涨丝式、扩散硅应变电桥式等，品种繁多，各具特色。本文要介绍的是一种性能稳定的CY—7A型生理血压传感器。...
    2. 《可在高温条件下工作的压力传感器》PDF+DOC 一、引言 扩散硅固态压力传感器，由于体积小、重量轻、精度高、动态响应快而广泛使用于宇航、化工、气象、水文、航海和工业系统中。但是由于这种传感器是采用扩散法，在半导体衬底上做电阻，采用p-n结隔离，故...
    3. 《多晶硅应变因子计算研究》PDF+DOC 伴随多晶硅力敏电阻在高温压力传感器和微机械传感器上的应用，学者对其压阻效应原理进行深入研究。本文论述了P型多晶硅隧道压阻模型和应变因子理论计算存在问题，提出了一种应变因子改进算法，与实验结果比较表明该算法的科学性，为多晶硅广泛应用打下一定的理论基础。...
    4. 《硅压阻压力传感器的近况和应用》PDF+DOC 硅具有显著的压阻效应，是制造硅压阻压力传感器的理想材料.用硅制成的压力传感器具有灵敏度高、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于小型化和进行批量生产、使用方便等特点.本文综述硅压阻压力传感器的最近发展，产品制造用的新技术、性能特点、发展水平；概述硅压阻压力传感器的应用，并对我国硅压阻......
    5. 《半导体压力传感器的特性及应用》PDF+DOC 目前出现了这样一种趋势：将半导体压力传感器，尽可能地应用于工业用现场测量仪器上。由于电子技术的发展，即使在苛刻的环境中也能充分发挥半导体压力传感器所具有的良好特性，同时，现场测量仪器生产技术的提高，使上述这种过程是可能的。半导体压力传感器是靠本身将...
    6. 《用双桥法减小压阻型传感器的温度漂移》PDF+DOC 论述了温度对压力传感器输出灵敏度的影响，为了减小传感器输出的温度漂移，利用双惠斯登电桥方法进行补偿，在300~373 K的温度范围内对传感器进行了测试。结果表明，采用双桥法补偿后，传感器输出的温度漂移可以降低70%以上。...
    7. 《箔式镱大压力传感器的设计与制作》PDF+DOC 镱材料具有压阻特性，其压阻系数比锰铜、碳等压阻材料要高得多。本文介绍了利用这一特性设计制作的箔式镱大压力传感器，并介绍了其工作原理和设计制作中的关键要点，以及在工艺上需解决的关键问题。　...
    8. 《新型压力测试传感器的研制及应用分析》PDF+DOC 以填充型导电聚合物复合材料为基础设计了新型压力测试传感元件，重点分析了新型压力传感器的优点及价值。对传感元件的压阻机理进行了介绍，并与普通型振弦式压力盒进行了对比，新型压力传感器结构具有制作多点压力分布测试传感器的明显优势和特点。通过室内压力试验及对某选煤厂筒仓基坑工程加筋土垫层中的压力实测，初步验......
    9. 《矿用压力传感器敏感元件温度漂移补偿技术》PDF+DOC 压力传感器敏感元件温度漂移是矿用压力传感器漂移的主要原因，文章列举了几种多晶硅压力传感器的温度漂移补偿方法，并分别讨论了它们的原理及特点，指出了更适合矿用压力传感器敏感元件的温度补偿方法。...
    10. 《不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响》PDF+DOC 为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响，采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试.在各步骤热过程后，对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析.通过对各部分方块电阻的测量可以看出，对于压阻区(P-区)，A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小，而由于注入杂质在高温下进......

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。