作者：张凤超 单位：中国电科技集团公司第三研究所 出版：《电声技术》1997年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDSJS709.0020 DOC编号：DOCDSJS709.0029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 换能器工程中的新工作是朝向使用硅工艺制造微小的传声器。对于这种器件，一些传统的换能方法是适用的，例如电容、压电、压阻原理。正在研究的还有一些传声器，它们以场效应晶体管漏电流或者声学传感器中声波诱导的调制为基础，取决于微加工波导中光波传播的调制。最近已经制成了按照所有这些原理的实验硅传感器，其中有些表现出良好的声学性质。最先进的是具有外偏置的双芯片电容式传声器。采用牺牲层工艺制作的驻极体偏置和单芯片设计也在研究之中。将来的工作将关系到所有的硅传声器特性的改善和在传声器芯片上集成放大器或者信号处理电路。硅传声器的优点是尺寸小（膜片面积约为１ｍｍ２）、由于膜片厚度小（＜１μｍ）有低的振动敏感度、有可能在单个芯片上集成传感器与放大器、由于成批处理而有低成本潜力。

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