作者：吴宪平 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》1991年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS1991010010 DOC编号：DOCYBJS1991010019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报道一种已获国家专利的新型扩散硅压力传感器结构。它由带有矩形双岛的方形硅膜和扩散硅力敏电阻全桥组成。用各向异性腐蚀工艺形成其微机械结构。力敏电阻位于小岛形成的沟槽内。由于外应力高度集中于这些沟槽内，故器件的压力灵敏度比C型硅杯结构提高五倍左右。采用该结构还可实现非线性内补偿。本文讨论了最佳补偿条件并由实验得到证实。已制成量程为100kPa，非线性、滞后、重复性均优于5&#215；10~(-4)F&#183；S，满程输出150mV/V和量程为6kPa，非线性、滞后、重复性均优于5&#215；10~(-4)F&#183；S，满程输出80mV/10V的PT14型扩散硅压力传感器。

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