《SIMOX——一种适用于高温硅传感器的工艺技术》PDF+DOC
作者：孟涛
单位：沈阳仪表科学研究院有限公司
出版：《仪表技术与传感器》1991年第05期
页数：3页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFYBJS1991050160
DOC编号：DOCYBJS1991050169
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研究开发了一种采用新颖的SOI“SIMOX”(氧离子注入隔离)工艺技术制作的硅压力传感器。这种器件展示了广阔的应用温度范围，它在400℃以上灵敏度理论特性为1/T。其原因乃是电阻之间以及与获得二氧化硅埋入层的衬底之间的完美的隔离。本文介绍了一种微机械加工的原型SIMOX技术研制的压力传感器，其灵敏度为40mV/V，线性度及滞后性优于0.2％，而且稳定性好。
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