作者：张家慰,黄明程 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1987年第02期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1987020030 DOC编号：DOCCGQJ1987020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了SOS(兰宝石上生长硅单晶)传感器，多晶硅阻传感器以及SOI(绝缘衬底上生长硅)压阻传感器三种可以应用在高温的半导体力敏传感器的结构和制造工艺，着重介绍并分析比较了国内外目前生长SOI材科的五种方法以及用它制造压阻式传感器的几个特殊问题。

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