作者：温殿忠 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1988年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1988010060 DOC编号：DOCCGQJ1988010069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文给出了采用硅各向异性腐蚀的阳极氧化自动终止技术研制微压方膜、圆膜硅杯的技术方案，讨论了器件表面SiO_2与Al膜厚对微压传感器零位温漂的影响规律及其应采取的工艺措施。

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