作者：刘兵武,张兆华,谭智敏,林惠旺,刘理天 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2006年第12期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2006120040 DOC编号：DOCBDTJ2006120049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 分析了金硅共晶键合的基本原理，讨论了键合实验的基本工艺，给出了键合的测试结果。这种键合方法键合温度低，键合工艺简单，与器件制造工艺兼容，对工艺环境要求不高，可以得到满意的键合强度，而且成本低，特别适合于已经做过结构的器件键合封接工艺。

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