作者:张书玉,张维连,张生才,姚素英 单位:河北工业大学 出版:《河北工业大学学报》2005年第02期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHBGB2005020050 DOC编号:DOCHBGB2005020059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状。

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