《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC
作者:张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2006年第04期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2006040130
DOC编号:DOCCGJS2006040139
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介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的。对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性。另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高。
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