作者:刘华瑞,任天令,刘理天,库万军 单位:中国仪器仪表学会 出版:《仪器仪表学报》2003年第S2期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYQXB2003S20370 DOC编号:DOCYQXB2003S20379 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究》PDF+DOC2003年第04期 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵 《GMR自旋阀生物传感器平面结构及钝化层设计》PDF+DOC2010年第05期 赵复龙,曲炳郡,任天令,刘理天 《顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,李伟 《低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究》PDF+DOC2006年第05期 刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《基于自旋阀的GMR线性传感器的制作》PDF+DOC2006年第05期 李伟,刘华瑞,刘鹏,任天令,刘理天 《底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究》PDF+DOC2014年第04期 杜伟伟,唐晓莉,苏桦,张怀武 《硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米》PDF+DOC 蒋致诚 《磁电阻材料及其应用的研究进展》PDF+DOC2002年第02期 任清褒,朱维婷 《专利集锦》PDF+DOC2014年第03期
  • 在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法。经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。通过2min的RIE使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构使交换场从180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右。这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器。

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