作者:刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵 单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版:《功能材料与器件学报》2003年第04期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCQ2003040080 DOC编号:DOCGNCQ2003040089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,库万军 《顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,李伟 《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究》PDF+DOC2007年第Z1期 郑洋,曲炳郡,叶双莉,李伟,任天令,刘理天 《低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究》PDF+DOC2006年第05期 刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 《GMR自旋阀生物传感器平面结构及钝化层设计》PDF+DOC2010年第05期 赵复龙,曲炳郡,任天令,刘理天 《自旋阀结构薄膜及其自由层的特性研究》PDF+DOC2008年第09期 刘鹏 《改善AMR薄膜磁电阻传感器线性度的几种方法》PDF+DOC2006年第08期 王立锦 《底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究》PDF+DOC2014年第04期 杜伟伟,唐晓莉,苏桦,张怀武 《基于自旋阀结构的磁传感器的研究》PDF+DOC2008年第12期 刘鹏
  • 通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响。结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大。研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响。

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