作者：刘华瑞,任天令,刘理天,李伟 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2003年第S2期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2003S21200 DOC编号：DOCYQXB2003S21209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究》PDF+DOC2003年第04期 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵 《适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,库万军 《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《巨磁电阻传感器》PDF+DOC2000年第05期 颜冲,于军,周文利,王耘波,谢基凡,高俊雄 《Ta种子层对Ni_(65)Co_(35)薄膜微结构和磁性的影响》PDF+DOC2006年第09期 王立锦,张辉,滕蛟,朱逢吾 《巨磁电阻应用的现状与展望》PDF+DOC2003年第01期 胡松青,杨渭 《热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究》PDF+DOC2007年第Z1期 郑洋,曲炳郡,叶双莉,李伟,任天令,刘理天 《改善AMR薄膜磁电阻传感器线性度的几种方法》PDF+DOC2006年第08期 王立锦 《低矫顽力GMR磁传感器的自旋阀结构研究》PDF+DOC2006年第05期 刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 《底钉扎与顶钉扎结构在磁传感器中应用研究》PDF+DOC2014年第04期 杜伟伟,唐晓莉,苏桦,张怀武

    • 通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜，Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能。结果表明，Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构，从而影响自旋阀的磁电阻率、矫顽力和交换场等性能。通过工艺改进和结构优化，得到了Ta缓冲层的最佳厚度3nm。此时自旋阀的磁电阻率(9.24％)和交换场(255&#215；(10~3/4π)A/m)达到最大值，而矫顽力(2.43&#215；(10~3/4π)A/m)比较小。通过优化后得到的自旋阀薄膜非常适合于工业自动化和汽车工业中的高性能GMR传感器的应用。

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