作者:刘鹏,李伟,刘华瑞,叶双莉,任天令,刘理天 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》2006年第05期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS2006051970 DOC编号:DOCCGJS2006051979 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究》PDF+DOC2003年第S2期 刘华瑞,任天令,刘理天,库万军 《GMR自旋阀生物传感器平面结构及钝化层设计》PDF+DOC2010年第05期 赵复龙,曲炳郡,任天令,刘理天 《低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究》PDF+DOC2007年第Z1期 刘鹏,李伟,叶双莉,任天令,刘理天 《用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀》PDF+DOC2003年第S2期 曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 《磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究》PDF+DOC2003年第04期 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵 《巨磁电阻传感器》PDF+DOC2000年第05期 颜冲,于军,周文利,王耘波,谢基凡,高俊雄 《自旋阀结构薄膜及其自由层的特性研究》PDF+DOC2008年第09期 刘鹏 《基于自旋阀的GMR线性传感器的制作》PDF+DOC2006年第05期 李伟,刘华瑞,刘鹏,任天令,刘理天 《基于自旋阀GMR传感器的金属磁记忆检测》PDF+DOC2014年第02期 黄海鸿,汪燕,张曦,刘儒军 《用于空间弱磁场检测的自旋阀型GMR传感器》PDF+DOC2013年第05期 金磊,刘小磐,宋东东
  • 采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/freelayer/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀.研究了NiFe/CoFe和NiFeCr/CoFe分别作为复合自由层时,自旋阀的矫顽力特性.为了降低自旋阀的矫顽力,并保持高的磁电阻率(MR),采用NiFeCr/NiFe/CoFe作为自旋阀的复合自由层,得到的自旋阀的MR为10.08%,矫顽力为4.87×(103/4π)A/m.利用弱磁场下的横向退火工艺,此结构自旋阀的矫顽力可降至0.01×(103/4π)A/m以下.通过实施以上的优化方案,可以研制出高磁电阻率和低矫顽力的GMR传感器。

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