作者：黄全平,陆德仁 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2002年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2002030160 DOC编号：DOCGNCQ2002030169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种简单而有效的天平方法来检测高量程微机械加速度传感器芯片的静态特性。设计了一种新结构，上面带有压敏电阻，用该方法测量到的静态特性和理论结果比较，两者基本一致，芯片的静态输出特性在测量限20000g(g为重力加速度)内呈直线，非线性为1%左右，灵敏度与理论值在20%的偏差内一致。由于其操作简单、低廉且有较高的分辨率，这种方法适合于平板型高量程压阻式加速度传感器芯片封装前进行抽样检测。

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