作者:杨邦朝,杜晓松 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2001年第09期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2001090010 DOC编号:DOCCGSJ2001090019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《薄膜式锰铜传感器的超高压力标定》PDF+DOC2001年第S1期 杜晓松,郝建德,杨邦朝,周鸿仁 《锰铜薄膜超高压力传感器研究》PDF+DOC2003年第01期 杜晓松 《阵列化锰铜高压传感器的研制》PDF+DOC2003年第10期 段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁 《阵列式薄膜锰铜传感器的研究》PDF+DOC2005年第04期 滕林,杨邦朝,杜晓松 《薄膜式锰铜传感器——一种新型的超高压力传感器》PDF+DOC2000年第01期 杜晓松,杨邦朝,王卉 《薄膜应变栅称重传感器的研制》PDF+DOC1998年第05期 于映,陈跃,陈抗生 《箔式锰铜传感器的新进展》PDF+DOC2005年第12期 崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林 《锰铜传感器保护介质对雷管输出记录波形的影响》PDF+DOC2004年第05期 韩秀凤,严楠,蔡瑞娇 《快响应薄膜式高压锰铜传感器》PDF+DOC2001年第01期 杜晓松,杨邦朝,王卉 《自制PVDF薄膜压力传感器标定》PDF+DOC2014年第05期 王永强,肖英淋,刘长林,王文杰
  • 为拓展锰铜传感器的高压测试上限,本文采用薄膜技术研制了一种新型的锰铜传感器。该传感器采用氧化铝封装,后置式结构,两步薄膜工艺制作。利用二级轻气炮进行了40-107GPa的冲击高压加载,试验波形呈现出-理想的平台,寿命为1μs0标定蓝线Px(GPa)=6.0371+29.819(△R/R0)+21.591(△R/R0)2-6.8267(△R/R0)2近似于一条直线,精度达±3%。

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