作者：田雷,尹延昭,苗欣,吴佐飞 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2014年第12期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2014120090 DOC编号：DOCBDTJ2014120099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成；采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结，有效减小了漏电，提高了传感器的稳定性；用多层复合电极替代传统的铝电极，并应用高掺杂点电极技术，提高了传感器使用温度。封装时，将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合；在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔，将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接，形成无引线封装结构。采用无油封装方法，避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析，并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试，测试结果与设计相符，其中传感器的测量范围为0~0.7 MPa，非线性优于0.2%FS，工作温度上限可达450℃。

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