作者：肖淼,任向阳,李振波,张治国,李新 单位：中国电子科技集团公司第四十七研究所 出版：《微处理机》2020年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWCLJ2020050010 DOC编号：DOCWCLJ2020050019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 碳化硅因其优越的半导体性质和物理性质，在传感器领域具有广阔的应用前景。采用第三代半导体碳化硅材料制备的高温压力传感器可在高温的恶劣环境下表现出极佳的稳定性，实现对压力的准确测量，相关研究工作备受业界关注。针对当前碳化硅传感器研制尚处在初级阶段的现实，介绍几种不同类型的碳化硅压力传感器，并对传感器的设计与制作工艺进行比较分析。基于对碳化硅压力传感器国内外研究现状的简述，分析了当下主流的封装结构，兼对设计、制作所面临的问题进行深入探讨。

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