作者:李赛男,梁庭,喻兰芳,李颖,熊继军 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2015年第03期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2015030030 DOC编号:DOCYBJS2015030039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于4H-SiC的LC谐振式高温无线压力敏感芯片的设计与优化》PDF+DOC2017年第02期 何文涛,李艳华,邹江波,张世名,赵和平,杨龙 《4H-SiC无线无源高温压力传感器设计》PDF+DOC 喻兰芳,梁庭,熊继军,崔海波,刘雨涛,张瑞 《4H-SiC MEMS高温电容式压力敏感元件设计》PDF+DOC2015年第03期 曹正威,尹玉刚,许姣,张世名,邹江波 《耐高温合金薄膜压力传感器的设计及仿真分析》PDF+DOC2017年第06期 谭苗苗 《一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真》PDF+DOC2020年第02期 王尊敬,李闯,涂孝军,路翼畅 《高温压力传感器的热模拟》PDF+DOC2008年第01期 耿青涛,孙以材,王云彩 《LC谐振式压力传感器的高温关键参数研究》PDF+DOC2014年第10期 郑庭丽,赵卫军,梁庭,洪应平,任重,李赛男,熊继军 《SiC高温电容压力传感器封装结构优化》PDF+DOC2013年第03期 屈晓南,胡明,张世名,尹玉刚 《通用型耐高温微型压力传感器封装工艺研究》PDF+DOC2005年第06期 王权,丁建宁,王文襄 《耐高温压力传感器研究现状与发展》PDF+DOC2011年第02期 张晓莉,陈水金
  • MEMS压力传感器的研制已相当成熟,但在高温领域却遇到了许多问题,为解决高温环境下压力测量的问题,文中介绍了一种新型Si C高温压力传感器电容芯片的设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行热-结构耦合场仿真分析,常温下电容芯片的灵敏度为1.3 p F/bar(1 bar=100 k Pa),300℃、500℃、700℃时灵敏度分别为1.4 p F/bar、1.54 p F/bar、1.74 p F/bar,表明这种结构在高温下仍具有较高的灵敏度,同时对结构进行模态仿真,由模态分析结果知,一阶频率为245 930 Hz,可知该结构具有很高的频响。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。