作者:李华,唐飞,王晓浩,张亮,杨吉,王帆,徐初隆,吝涛,丁力 单位:中国化学会;中国科学院长春应用化学研究所 出版:《》 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFFXHX2010110300 DOC编号:DOCFXHX2010110309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《微型FAIMS生化传感器的设计与制作》PDF+DOC2010年第06期 李华,唐飞,王晓浩,林镇翔,张亮 《基于厚膜工艺的微型FAIMS生化气体传感器设计》PDF+DOC2015年第12期 王涛龙,梁庭,高利聪,张瑞,王心心,刘雨涛 《一种微型FAIMS传感器芯片的研制》PDF+DOC2010年第05期 李华,王晓浩,唐飞,张亮,杨吉,吝涛,丁力 《基于高场非对称波形离子迁移谱的生化传感器的设计(英文)》PDF+DOC2009年第09期 李华,王晓浩,唐飞,林镇翔 《基于硅硅键合的电容式微超声波换能器设计与测试》PDF+DOC2019年第02期 杨乐,张亚 《MEMS SOI高温压力传感器芯片》PDF+DOC2018年第11期 郭玉刚,饶浩,陶茂军,田雷,吴佐飞 《基于MEMS工艺的热膜式流量传感器芯片的研制》PDF+DOC2012年第05期 李艳杰,齐虹 《微机电系统(MEMS)硅压阻式压力传感器分析研究》PDF+DOC2011年第06期 李烨,石鑫 《中国首款自主研发的传感器芯片诞生》PDF+DOC2009年第06期 《微型电容式压力传感器硅基薄膜的设计与制备》PDF+DOC2013年第05期 陶也,曾毅波,刘畅,林杰,郭航
  • 基于微机电系统技术(Micro electro mechanical system,MEMS),研制了微型高场非对称波形离子迁移谱(High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS)传感器芯片。芯片采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和两次硅-玻璃键合工艺加工,尺寸为18.8mm×12.4mm×1.2mm,其中迁移区尺寸为10mm×5mm×0.2mm。设计了高场非对称方波电源,可输出最大频率2MHz,电压峰-峰值1000V,占空比20%~50%连续可调的方波射频电压。以乙醇为实验样品,分析了方波射频电压幅值对FAIMS传感器芯片性能的影响。实验表明,随着电压幅值的增加,FAIMS分辨率提高,灵敏度下降,补偿电压绝对值增大,且芯片对乙醇的检出限可达8.9mg/m3。

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