作者：张强,王鸣,戎华 单位：华中光电技术研究所;湖北省光学学会 出版：《光学与光电技术》2009年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXGD2009030130 DOC编号：DOCGXGD2009030139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 由于硅与玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行，因此材料之间会因热膨胀系数失配而产生较大的热应力，该应力对压力传感器的性能影响较大。对采用单晶硅横膈膜作为敏感膜与玻璃环阳极键合形成压力参考腔的封装，用有限元方法对硅玻璃环键合后因温度变化所产生的应力分布进行了系统仿真分析，并采用泰曼-格林干涉仪对键合后硅片的变形进行测量。测量结果显示硅膜的挠度为283nm，测量结果与仿真结果基本一致。

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