作者:黄敬晖,郝洁,张延松,唐家耘,钱坤明,丁昂 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2016年第08期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2016080250 DOC编号:DOCCGQJ2016080259 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 利用单辊快淬法制备了Co Fe Ni Si B非晶薄带,经过400 A/mm2电流密度、20 ms脉冲间隔条件下的脉冲退火后具有较好的弱磁场灵敏性能。以该带材为磁敏材料,基于纵向驱动方式研制了一种巨磁阻抗(GMI)磁传感器,该磁传感器尺寸小、灵敏度高、频率响应好,±0.05 m T弱磁场范围内灵敏度可达到44.15 V/m T,在高灵敏度小型磁传感器领域具有较大的应用潜力。

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