作者：郑洋,曲炳郡,叶双莉,李伟,任天令,刘理天 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2007年第Z1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2007Z10720 DOC编号：DOCBDTQ2007Z10729 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析，并通过实验，研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。

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