作者：郭博,刘诗斌,段红亮,杨尚林,侯晓伟 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2013年第10期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2013100030 DOC编号：DOCCGJS2013100039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后2.5μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶作为掩膜时，预亚胺化采用90℃/5 min~140℃/10 min方案，采用1%KOH溶液，15 s的显影/刻蚀时间会得到较好的刻蚀结果。在此基础上，通过实验研究了一种低成本的填充式平坦化技术。通过在底层线圈上旋涂第1层聚酰亚胺，湿法刻蚀去除铜线上的聚酰亚胺保留间隙中聚酰亚胺，然后再旋涂第2层聚酰亚胺的方式，完成了第2层聚酰亚胺的平坦化。与直接在底层线圈上旋涂聚酰亚胺而不做平坦化处理比较，起伏高度差从1.8μm降低到150 nm，且起伏缓慢、无明显台阶。应用这种技术制备了一种采用线圈铁芯结构的微型磁通门传感器并进行了测试，传感器工作正常，性能优良。

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