作者：田学东,薛晨阳,王永存,刘俊,唐军 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2013年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2013020200 DOC编号：DOCCGQJ2013020209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构，通过软件仿真和实验测试相结合的方法，研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性。实验结果表明：GaAs基HEMT微加速度传感器在其低量程范围内(0～15gn)敏感单元HEMT的力电耦合系数较稳定，且其力电耦合系数为10-8数量级，比常规Si压阻式加速度传感器的力电耦合系数10-10高出2个数量级。

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